In der Elektronik ist eine Diode ein elektronischer Zwei-Terminals-Bestandteil mit der asymmetrischen Übertragungseigenschaft, mit dem niedrigen (ideal Null-) Widerstand gegen den aktuellen Fluss in einer Richtung, und hoch (ideal unendlich) Widerstand im anderen. Eine Halbleiter-Diode, der allgemeinste Typ heute, ist ein kristallenes Stück des Halbleiter-Materials mit einem p-n mit zwei elektrischen Terminals verbundenen Verbindungspunkt. Eine Vakuumtube-Diode, die jetzt selten außer in einigen Hochleistungstechnologien und durch Anhänger verwendet ist, ist eine Vakuumtube mit zwei Elektroden, ein Teller (Anode) und Kathode.

Die allgemeinste Funktion einer Diode ist, einem elektrischen Strom zu erlauben, in einer Richtung zu gehen (hat die Vorwärtsrichtung der Diode genannt), während man Strom in der entgegengesetzten Richtung (die Rückwartsrichtung) blockiert. So kann von der Diode als eine elektronische Version eines Rückschlagventils gedacht werden. Dieses Einrichtungsverhalten wird Korrektur genannt und wird verwendet, um Wechselstrom umzuwandeln, um Strom einschließlich der Förderung der Modulation von Radiosignalen in Radioempfängern zu leiten — diese Dioden sind Formen von Berichtigern.

Jedoch können Dioden mehr kompliziertes Verhalten haben als das, das auf - von der Handlung einfach ist. Halbleiter-Dioden beginnen nicht, Elektrizität zu führen, bis eine bestimmte Schwellenstromspannung in der Vorwärtsrichtung da ist (ein Staat, in dem, wie man sagt, die Diode vorwärtsbeeinflusst wird). Der Spannungsabfall über eine vorwärtsbeeinflusste Diode ändert sich nur etwas mit dem Strom, und ist eine Funktion der Temperatur; diese Wirkung kann als ein Temperatursensor oder Stromspannungsverweisung verwendet werden.

Die nichtlineare Strom-Spannungseigenschaft von Dioden von Halbleiter kann durch das Verändern der Halbleiter-Materialien und das Einführen von Unreinheiten ins (Doping) der Materialien geschneidert werden. Diese werden in speziellen Zweck-Dioden ausgenutzt, die viele verschiedene Funktionen durchführen. Zum Beispiel werden Dioden verwendet, um Stromspannung (Dioden von Zener) zu regeln, Stromkreise vor Hochspannungswogen (Lawine-Dioden) zu schützen, Radio und Fernsehempfänger (Kapazitätsdioden) elektronisch abzustimmen, Radiofrequenzschwingungen (Tunneldioden, Dioden von Gunn, IMPATT Dioden) zu erzeugen, und Licht (leichte Ausstrahlen-Dioden) zu erzeugen. Tunneldioden stellen negativen Widerstand aus, der sie nützlich in einigen Typen von Stromkreisen macht.

Dioden waren der erste Halbleiter elektronische Geräte. Die Entdeckung der geistigen Korrigieren-Anlagen von Kristallen wurde vom deutschen Physiker Ferdinand Braun 1874 gemacht. Die ersten Halbleiter-Dioden, genannt die Schnurrhaar-Dioden der Katze, entwickelt 1906, wurden aus Mineralkristallen wie Galenit gemacht. Heute werden die meisten Dioden aus Silikon gemacht, aber andere Halbleiter wie Germanium werden manchmal verwendet.

Geschichte

Obwohl die Kristallhalbleiter-Diode vor der thermionischen Diode populär, (Vakuumtube) Dioden und fester Zustand (Halbleiter) thermionisch war, wurden Dioden in der Parallele entwickelt.

Vakuumtube-Dioden

1873 hat Frederick Guthrie das Kernprinzip der Operation von thermionischen Dioden entdeckt. Guthrie hat entdeckt, dass ein positiv beladenes Elektroskop durch das Holen eines niedergelegten Stückes von weißglühendem Metall in der Nähe davon (aber nicht wirklich das Berühren davon) entladen werden konnte. Dasselbe hat für ein negativ beladenes Elektroskop nicht gegolten, anzeigend, dass der aktuelle Fluss nur in einer Richtung möglich war.

Thomas Edison hat unabhängig den Grundsatz am 13. Februar 1880 wieder entdeckt. Zurzeit forschte Edison nach, warum die Glühfäden seiner Glühbirnen des Kohlenstoff-Glühfadens fast immer am positiv verbundenen Ende ausgebrannt sind. Er hat eine spezielle Zwiebel mit einem in den Glasumschlag gesiegelten Metallteller machen lassen. Mit diesem Gerät hat er bestätigt, dass ein unsichtbarer Strom vom glühenden Glühfaden bis das Vakuum zum Metallteller geflossen ist, aber nur als der Teller mit der positiven Versorgung verbunden wurde.

Edison hat einen Stromkreis ausgedacht, wo seine modifizierte Glühbirne effektiv den Widerstand in einem Gleichstrom-Voltmeter ersetzt hat. Edison wurde einem Patent für diese Erfindung 1884 zuerkannt. Es gab keinen offenbaren praktischen Gebrauch für solch ein Gerät zurzeit. Also, die offene Anwendung war einfach eine Vorsichtsmaßnahme am wahrscheinlichsten, im Falle dass jemand anderer wirklich einen Gebrauch für die so genannte Wirkung von Edison gefunden hat.

Ungefähr 20 Jahre später, John Ambrose Fleming (der wissenschaftliche Berater von Marconi Company

und ehemaliger Angestellter von Edison) hat begriffen, dass die Wirkung von Edison als ein Präzisionsradioentdecker verwendet werden konnte. Flame hat die erste wahre thermionische Diode, die Flame-Klappe, in Großbritannien am 16. November 1904 (gefolgt von im November 1905) patentiert.

Die Vakuumpumpen, die verwendet sind, um die Einschließungen der frühsten Gasartig-Zustanddioden auszuleeren, haben ein teilweises Vakuum zurückgelassen. Die Entwicklung der Verbreitungspumpe 1915 und Verbesserung durch Irving Langmuir des General Electric hat zur Entwicklung von Hochvakuum-Tuben geführt.

Halbleiterdioden

1874 hat deutscher Wissenschaftler Karl Ferdinand Braun die "einseitige Leitung" von Kristallen entdeckt. Braun hat den Kristallberichtiger 1899 patentiert. Kupferoxid und Selen-Berichtiger wurden für Macht-Anwendungen in den 1930er Jahren entwickelt.

Indianerwissenschaftler Jagadish Chandra Bose war erst, um einen Kristall zu verwenden, um Funkwellen 1894 zu entdecken. Der Kristallentdecker wurde in ein praktisches Gerät für die Radiotelegrafie von Greenleaf Whittier Pickard entwickelt, der einen Silikonkristallentdecker 1903 erfunden hat und ein Patent dafür am 20. November 1906 erhalten hat. Andere Experimentatoren haben eine Vielfalt anderer Substanzen versucht, von denen am weitesten verwendet der Mineralgalenit (Leitungssulfid) war. Andere Substanzen haben ein bisschen bessere Leistung angeboten, aber Galenit wurde am weitesten verwendet, weil es im Vorteil gewesen ist, preiswert und leicht zu sein, vorzuherrschen. Der Kristallentdecker in diesen frühen Kristallradioanlagen hat aus einem regulierbaren Leitungspunkt-Kontakt bestanden (das Schnurrhaar der so genannten "Katze"), der das Gesicht des Kristalls manuell zur Seite gerückt werden konnte, um optimales Signal zu erhalten. Dieses lästige Gerät wurde durch thermionische Dioden vor den 1920er Jahren ersetzt, aber nachdem hohe Reinheitshalbleiter-Materialien verfügbar geworden sind, ist der Kristallentdecker zum dominierenden Gebrauch mit dem Advent von billigen festen Germaniumdioden in den 1950er Jahren zurückgekehrt.

Etymologie

Zur Zeit ihrer Erfindung waren solche Geräte als Berichtiger bekannt. 1919 wurden die Jahr-Vierpolröhren erfunden, William Henry Eccles hat den Begriff Diode vom griechischen Wurzeldi (von δί) ins Leben gerufen, "zwei", und Ode (von ὅδος) vorhabend, "Pfad" vorhabend.

Thermionische Dioden

Thermionische Dioden sind Geräte der thermionischen Klappe (auch bekannt als Vakuumtuben, Tuben oder Klappen), die Maßnahmen von Elektroden sind, die durch ein Vakuum innerhalb eines Glasumschlags umgeben sind. Frühe Beispiele haben ziemlich mit Glühglühbirnen ein ähnliches Aussehen gehabt.

In Dioden der thermionischen Klappe heizt ein Strom durch den Heizungsglühfaden indirekt die thermionische Kathode, eine andere innere Elektrode hat mit einer Mischung von Barium- und Strontium-Oxyden behandelt, die Oxyde von alkalischen Erdmetallen sind; diese Substanzen werden gewählt, weil sie eine kleine Arbeitsfunktion haben. (Einige Klappen verwenden direkte Heizung, in der ein Wolfram-Glühfaden sowohl als die Heizung als auch als Kathode handelt.) Die Hitze verursacht thermionische Emission von Elektronen ins Vakuum. In der Vorwärtsoperation hat eine Umgebungsmetallelektrode gerufen die Anode wird positiv beladen, so dass es elektrostatisch die ausgestrahlten Elektronen anzieht.

Jedoch werden Elektronen von der unerhitzten Anode-Oberfläche nicht leicht veröffentlicht, wenn die Stromspannungswidersprüchlichkeit umgekehrt wird. Folglich ist jeder Rückfluss unwesentlich.

In einer Quecksilberkreisbogen-Klappe formt sich ein Kreisbogen zwischen einer widerspenstigen leitenden Anode und einer Lache von flüssigem Quecksilber, das als Kathode handelt. Solche Einheiten wurden mit Einschaltquoten bis zu Hunderte von Kilowatt gemacht, und waren in der Entwicklung der HVDC Energieübertragung wichtig. Einige Typen von kleineren thermionischen Berichtigern hatten manchmal Quecksilberdampf füllen sich, um ihren Vorwärtsspannungsabfall zu reduzieren und aktuelle Schätzung über thermionische Hart-Vakuumgeräte zu vergrößern.

Bis zur Entwicklung von Halbleiter-Dioden wurden Klappe-Dioden in analogen Signalanwendungen und als Berichtiger in vielem Macht-Bedarf verwendet. Sie haben schnell aufgehört, zu den meisten Zwecken, eine Ausnahme verwendet zu werden, die eine Hochspannung Hochstromanwendungsthema großen vergänglichen Spitzen, wo ihre Robustheit ist, um gemacht sie die beste Wahl zu missbrauchen. einige Anhänger haben Vakuumtube-Verstärker für Audioanwendungen, manchmal mit der Klappe aber nicht den Halbleiter-Berichtigern bevorzugt.

Halbleiter-Dioden

Dioden des Punkt-Kontakts

Eine Diode des Punkt-Kontakts arbeitet dasselbe als die Verbindungspunkt-Dioden, die unten beschrieben sind, aber ihr Aufbau ist einfacher. Ein Block von n-leitendem Halbleiter, wird und ein mit einer Gruppe hergestellter Leiten-Kontakt des scharfen Punkts gebaut 3 Metall wird in den Kontakt mit dem Halbleiter gelegt. Etwas Metall wandert in den Halbleiter ab, um ein kleines Gebiet von P-Typ-Halbleiter in der Nähe vom Kontakt zu machen. Das lang-populäre 1N34 Germanium-Version wird noch in Radioempfängern als ein Entdecker und gelegentlich in der analogen Spezialelektronik verwendet.

Verbindungspunkt-Dioden

Die meisten Dioden sind heute Silikonverbindungspunkt-Dioden. Ein Verbindungspunkt wird zwischen dem p und den n Gebieten gebildet, der auch ein Erschöpfungsgebiet genannt wird.

P-N-Verbindungspunkt-Diode

Eine p-n Verbindungspunkt-Diode wird aus einem Kristall von Halbleiter gemacht. Unreinheiten werden dazu hinzugefügt, um ein Gebiet auf einer Seite zu schaffen, die negative Anklage-Transportunternehmen (Elektronen), genannt n-leitenden Halbleiter und ein Gebiet auf der anderen Seite enthält, das positive Anklage-Transportunternehmen (Löcher), genannt P-Typ-Halbleiter enthält. Die Terminals der Diode werden jedem dieser Gebiete beigefügt. Die Grenze zwischen diesen zwei Gebieten, genannt einen p-n Verbindungspunkt, ist, wo die Handlung der Diode stattfindet. Der Kristall erlaubt Elektronen, von der N-leitenden Seite zu fließen (hat gerufen die Kathode) zur P-Typ-Seite (hat die Anode genannt), aber nicht in der entgegengesetzten Richtung.

Diode von Schottky

Ein anderer Typ der Verbindungspunkt-Diode, der Diode von Schottky, wird von einem Metallhalbleiter-Verbindungspunkt aber nicht einem p-n junction.with reduzierte Kapazität und diese Zunahme-Geschwindigkeit der Schaltung gebildet.

Strom-Spannungseigenschaft

Ein Halbleiter-Diode-Verhalten in einem Stromkreis wird durch seine Strom-Spannungseigenschaft oder I-V Graphen gegeben (sieh Graphen unten). Die Gestalt der Kurve wird durch den Transport von Anklage-Transportunternehmen durch die so genannte Erschöpfungsschicht oder das Erschöpfungsgebiet bestimmt, das am p-n Verbindungspunkt zwischen sich unterscheidenden Halbleitern besteht. Wenn ein p-n Verbindungspunkt zuerst, mit der Leitung bändige (bewegliche) Elektronen vom N-doped ins P-doped Gebiet weitschweifigen Gebiet geschaffen wird, wo es eine große Bevölkerung von Löchern gibt (freie Plätze für Elektronen), mit dem "sich" die Elektronen "wiederverbinden". Wenn sich ein bewegliches Elektron mit einem Loch wiederverbindet, verschwinden sowohl Loch als auch Elektron, einen unbeweglichen positiv beladenen Spender (dopant) auf der N Seite und dem negativ beladenen Annehmer (dopant) auf der P Seite zurücklassend. Das Gebiet um den p-n Verbindungspunkt wird entleert Anklage-Transportunternehmen und benimmt sich so als ein Isolator.

Jedoch kann die Breite des Erschöpfungsgebiets (hat die Erschöpfungsbreite genannt), nicht ohne Grenze wachsen. Für jedes Elektronloch-Paar, das sich wiederverbindet, wird ein positiv beladenes dopant Ion im N-doped Gebiet zurückgelassen, und ein negativ beladenes dopant Ion wird im P-doped Gebiet zurückgelassen. Als Wiederkombination weitergeht, werden mehr Ionen geschaffen, ein zunehmendes elektrisches Feld entwickelt sich durch die Erschöpfungszone, die handelt, um dann schließlich Wiederkombination zu verlangsamen und aufzuhören. An diesem Punkt gibt es ein "eingebautes" Potenzial über die Erschöpfungszone.

Wenn eine Außenstromspannung über die Diode mit derselben Widersprüchlichkeit wie das eingebaute Potenzial gelegt wird, setzt die Erschöpfungszone fort, als ein Isolator zu handeln, jeden bedeutenden Fluss des elektrischen Stroms verhindernd (wenn Paare des Elektrons/Loches im Verbindungspunkt durch, zum Beispiel, Licht nicht aktiv geschaffen werden. sieh Fotodiode). Das ist das Rückneigungsphänomen. Jedoch, wenn die Widersprüchlichkeit der Außenstromspannung dem eingebauten Potenzial entgegensetzt, kann Wiederkombination wieder weitergehen, auf wesentlichen elektrischen Strom durch den p-n Verbindungspunkt (d. h. bedeutende Zahlen der Elektron- und Loch-Wiedervereinigung am Verbindungspunkt) hinauslaufend. Für Silikondioden ist das eingebaute Potenzial etwa 0.7 V (0.3 V für das Germanium und 0.2 V für Schottky). So, wenn ein Außenstrom durch die Diode passiert wird, werden ungefähr 0.7 V über die solche Diode entwickelt, dass das P-doped Gebiet in Bezug auf das N-doped Gebiet positiv ist und, wie man sagt, die Diode "angemacht" wird, weil es eine Vorwärtsneigung hat.

Einer I-V Eigenschaft einer Diode kann durch vier Gebiete der Operation näher gekommen werden.

Auf der sehr großen Rückneigung, außer der umgekehrten Maximalstromspannung oder PIV, kommt ein Prozess genannt Rückdepression vor, der eine große Zunahme im Strom verursacht (d. h. eine Vielzahl von Elektronen und Löchern wird daran geschaffen, und rückt vom p-n Verbindungspunkt ab), der gewöhnlich das Gerät dauerhaft beschädigt. Die Lawine-Diode wird für den Gebrauch im Lawine-Gebiet absichtlich entworfen. In der Diode von Zener ist das Konzept von PIV nicht anwendbar. Eine Zener Diode enthält ein schwer lackiertes p-n Verbindungspunkt-Erlauben Elektronen zum Tunnel vom Wertigkeitsband des P-Typ-Materials zum Leitungsband des n-leitenden Materials, solch, dass die Sperrspannung zu einem bekannten Wert "festgeklammert" wird (hat die Stromspannung von Zener genannt), und Lawine kommt nicht vor. Beide Geräte haben wirklich jedoch eine Grenze zum maximalen Strom und der Macht im festgeklammerten Sperrspannungsgebiet. Außerdem im Anschluss an das Ende der Vorwärtsleitung in jeder Diode gibt es Rückstrom seit einer kurzen Zeit. Das Gerät erreicht seine volle blockierende Fähigkeit nicht, bis der Rückstrom aufhört.

Das zweite Gebiet, auf Rückneigungen, die positiver sind als der PIV, hat nur einen sehr kleinen Rücksättigungsstrom. Im Rückneigungsgebiet für eine normale P-N Gleichrichterdiode ist der Strom durch das Gerät (in der µA-Reihe) sehr niedrig. Jedoch ist das Temperaturabhängiger, und bei genug hohen Temperaturen, ein wesentlicher Betrag des Rückstroms kann (mA oder mehr) beobachtet werden.

Das dritte Gebiet ist fortgeschrittene, aber kleine Neigung, wo nur ein kleine Vorwärtsstrom geführt wird.

Da der potenzielle Unterschied über einer willkürlich definierten "Einschnitt-Stromspannung" oder "auf der Stromspannung" oder "Diode Vorwärtsspannungsabfall (V) vergrößert wird" wird der Diode-Strom merklich (das Niveau des Stroms hat als "merklich" betrachtet, und der Wert der Einschnitt-Stromspannung hängt von der Anwendung ab), und die Diode präsentiert einen sehr niedrigen Widerstand. Die Strom-Spannungskurve ist Exponential-. In einer normalen Silikondiode an steuerpflichtigen Strömen wird die willkürliche Einschnitt-Stromspannung als 0.6 zu 0.7 Volt definiert. Der Wert ist für andere Diode-Typen verschieden — Dioden von Schottky können mindestens 0.2 V, Germaniumdioden 0.25 zu 0.3 V abgeschätzt werden, und rote oder blaue Licht ausstrahlende Dioden (LEDs) können Werte von 1.4 V und 4.0 V beziehungsweise haben.

An höheren Strömen der Vorwärtsspannungsabfall der Diode-Zunahmen. Ein Fall 1 V zu 1.5 V ist am vollen steuerpflichtigen Strom für Macht-Dioden typisch.

Diode-Gleichung von Shockley

Die Ideal-Diode-Gleichung von Shockley oder das Diode-Gesetz (genannt nach dem Transistor-Co-Erfinder William Bradford Shockley, um mit dem Vierpolröhre-Erfinder Walter H. Schottky nicht verwirrt zu sein), geben die I-V Eigenschaft einer idealen Diode entweder in vorwärts oder in Rückneigung (oder keine Neigung). Die Gleichung ist:

:

wo

:I ist der Diode-Strom,

:I ist der Rückneigungssättigungsstrom (oder Skala-Strom),

:V ist die Stromspannung über die Diode,

:V ist die Thermalstromspannung und

der

:n ist der ideality Faktor, auch bekannt als der Qualitätsfaktor oder manchmal Emissionskoeffizient. Der ideality Faktor n ändert sich von 1 bis 2 abhängig vom Herstellungsprozess, und, wie man annimmt, ist Halbleiter-Material und in vielen Fällen 1 ungefähr gleich (so die Notation n wird weggelassen).

Die Thermalstromspannung V ist etwa 25.85 mV an 300 K, einer Temperatur in der Nähe von der "Raumtemperatur, die" allgemein in der Gerät-Simulierungssoftware verwendet ist. Bei jeder Temperatur ist es eine bekannte Konstante, die definiert ist durch:

:

wo k der unveränderliche Boltzmann ist, ist T die absolute Temperatur des p-n Verbindungspunkts, und q ist der Umfang der Anklage auf einem Elektron (die elementare Anklage).

Die Shockley ideale Diode-Gleichung oder das Diode-Gesetz werden abgeleitet in der Annahme, dass die einzigen Prozesse, die den Strom in der Diode verursachen, Antrieb (wegen des elektrischen Feldes), Verbreitung und Thermalwiederkombinationsgeneration (R-G) sind. Es nimmt auch an, dass der R-G Strom im Erschöpfungsgebiet unbedeutend ist. Das bedeutet, dass die Gleichung von Shockley für die Prozesse nicht verantwortlich ist, die an der Rückdepression und Foton-geholfenem R-G beteiligt sind. Zusätzlich beschreibt es nicht, "sich" von der I-V-Kurve auf der hohen Vorwärtsneigung wegen des inneren Widerstands "einpendelnd".

Unter Rückneigungsstromspannungen (sieh Abbildung 5), ist der Exponential-in der Diode-Gleichung unwesentlich, und der Strom ist ein unveränderlicher (negativer) aktueller Rückwert von I. Das Rückdurchbruchsgebiet wird durch die Diode-Gleichung von Shockley nicht modelliert.

Für sogar ziemlich kleine Vorwärtsneigungsstromspannungen (sieh Abbildung 5), ist der Exponential-sehr groß, weil die Thermalstromspannung sehr klein ist, so ist das abgezogene '1' in der Diode-Gleichung unwesentlich und dem Vorwärtsdiode-Strom häufig als näher gekommen wird

:

Der Gebrauch der Diode-Gleichung in Stromkreis-Problemen wird im Artikel über das Diode-Modellieren illustriert.

Verhalten des kleinen Signals

Für das Stromkreis-Design erweist sich ein Modell des kleinen Signals des Diode-Verhaltens häufig nützlich. Ein spezifisches Beispiel des Diode-Modellierens wird im Artikel über Stromkreise des kleinen Signals besprochen.

Rückwiederherstellungswirkung

Im Anschluss an das Ende der Vorwärtsleitung in einer p-n Typ-Diode fließt ein Rückstrom seit einer kurzen Zeit. Das Gerät erreicht seine blockierende Fähigkeit nicht, bis die bewegliche Anklage im Verbindungspunkt entleert wird.

Die Wirkung kann bedeutend sein, wenn sie große Ströme sehr schnell schaltet. Ein bestimmter Betrag der "Rückwiederherstellungszeit" t (auf der Ordnung von Zehnen von Nanosekunden zu ein paar Mikrosekunden) kann erforderlich sein, die Rückwiederherstellungsanklage Q von der Diode zu entfernen. Während dieser Wiederherstellungszeit kann die Diode wirklich in der Rückwartsrichtung führen. In bestimmten wirklichen Fällen kann es wichtig sein, die Verluste als übernommen durch diese nichtideale Diode-Wirkung zu betrachten. Jedoch, als gemordet hat, ist die Rate des Stroms nicht so streng (z.B Linienfrequenz) die Wirkung kann sicher ignoriert werden.

Für die meisten Anwendungen ist die Wirkung auch für Dioden von Schottky unwesentlich.

Der Rückstrom hört plötzlich auf, wenn die versorgte Anklage entleert wird; dieser plötzliche Halt wird in Schritt-Wiederherstellungsdioden für die Generation von äußerst kurzen Pulsen ausgenutzt.

Typen der Halbleiter-Diode

Es gibt mehrere Typen von p-n Verbindungspunkt-Dioden, die, entweder einen verschiedenen physischen Aspekt einer Diode häufig durch das geometrische Schuppen zu betonen, Niveau lackierend, die richtigen Elektroden wählend, gerade eine Anwendung einer Diode in einem speziellen Stromkreis sind, oder wirklich verschiedene Geräte wie der Gunn und Laserdiode und der MOSFET sind:

Normale (p-n) Dioden, die, wie beschrieben, oben funktionieren, werden gewöhnlich aus lackiertem Silikon oder, seltener, Germanium gemacht. Bevor die Entwicklung von Silikonmacht-Gleichrichterdioden, cuprous späteres und Oxydselen verwendet wurde; seine niedrige Leistungsfähigkeit hat ihm einen viel höheren Vorwärtsspannungsabfall (normalerweise 1.4 zu 1.7 V pro "Zelle" mit vielfachen Zellen gegeben, die aufgeschobert sind, um die umgekehrte Maximalstromspannung zu vergrößern, die in Hochspannungsberichtigern gilt), und hat ein großes Hitzebecken (häufig eine Erweiterung des Metallsubstrats der Diode), viel größer verlangt, als eine Silikondiode derselben aktuellen Einschaltquoten verlangen würde. Die große Mehrheit aller Dioden ist die p-n Dioden, die in integrierten Stromkreisen von CMOS gefunden sind, die zwei Dioden pro Nadel und viele andere innere Dioden einschließen.

Lawine-Dioden

:Diodes, die in der Rückwartsrichtung führen, wenn die Rückneigungsstromspannung die Durchbruchsstromspannung überschreitet. Diese sind Dioden von Zener elektrisch sehr ähnlich, und werden häufig Dioden von Zener irrtümlicherweise genannt, aber brechen durch einen verschiedenen Mechanismus, die Lawine-Wirkung zusammen. Das kommt vor, wenn das elektrische Rückfeld über den p-n Verbindungspunkt eine Welle der Ionisation verursacht, die an eine Lawine erinnernd ist, zu einem großen Strom führend. Lawine-Dioden werden entworfen, um an einer bestimmten Sperrspannung zusammenzubrechen, ohne, zerstört zu werden. Der Unterschied zwischen der Lawine-Diode (der eine Rückdepression über ungefähr 6.2 V hat) und Zener ist, dass die Kanallänge vom ersteren den freien Mittelpfad der Elektronen überschreitet, also gibt es Kollisionen zwischen ihnen unterwegs. Der einzige praktische Unterschied ist, dass die zwei Typen Temperaturkoeffizienten der entgegengesetzten Widersprüchlichkeit haben.

Das Schnurrhaar der Katze oder Kristalldioden

:These sind ein Typ der Diode des Punkt-Kontakts. Die Schnurrhaar-Diode der Katze besteht aus einem dünnen oder hat Metallleitung geschärft, die gegen einen Halbleiten-Kristall, normalerweise Galenit oder ein Stück von Kohle gedrückt ist. Die Leitung bildet die Anode, und der Kristall bildet die Kathode. Die Schnurrhaar-Dioden der Katze wurden auch Kristalldioden und gefundene Anwendung in Kristallradioempfängern genannt. Die Schnurrhaar-Dioden der Katze sind allgemein veraltet, aber können von einigen Herstellern verfügbar sein.

Unveränderliche aktuelle Dioden

:These sind wirklich ein JFET mit dem Tor shorted zur Quelle und Funktion wie ein Zwei-Terminals-Strombegrenzer-Analogon zur Diode von Zener, die Stromspannung beschränkt. Sie erlauben einem Strom durch sie, sich zu einem bestimmten Wert zu erheben, und dann sich bei einem spezifischen Wert einzupendeln. Auch genannt CLDs, unveränderlich-aktuelle Dioden, Diode-verbundene Transistoren oder Strom regelnde Dioden.

Esaki oder Tunneldioden

:These haben ein Gebiet der Operation, negativen Widerstand zeigend, der durch das Quant tunneling verursacht ist, Erweiterung von Signalen und sehr einfachen bistable Stromkreisen erlaubend. Wegen der hohen Transportunternehmen-Konzentration, Tunneldioden sind sehr schnell, kann bei niedrigen (mK) Temperaturen, hohen magnetischen Feldern, und in hohen Strahlenumgebungen verwendet werden. Wegen dieser Eigenschaften werden sie häufig im Raumfahrzeug verwendet.

Dioden von Gunn

:These sind Tunneldioden ähnlich, in denen sie aus Materialien wie GaAs oder InP gemacht werden, die ein Gebiet des negativen Differenzialwiderstands ausstellen. Mit dem passenden Beeinflussen, der Dipolbereichsform und dem Reisen über die Diode, hohen Frequenzmikrowellenoszillatoren erlaubend, gebaut zu werden.

Licht ausstrahlende Dioden (LEDs)

:In, die eine Diode von einem direkten Halbleiter der Band-Lücke, wie Gallium arsenide gebildet hat, Transportunternehmen, die den Verbindungspunkt durchqueren, strahlen Fotonen aus, wenn sie sich mit dem Majoritätstransportunternehmen auf der anderen Seite wiederverbinden. Abhängig vom Material können Wellenlängen (oder Farben) von infrarot bis die ultraviolette Nähe erzeugt werden. Das Vorwärtspotenzial dieser Dioden hängt von der Wellenlänge der ausgestrahlten Fotonen ab: 2.1 V entspricht rot, 4.0 V zum Violett. Die ersten LEDs waren rot und gelb, und Dioden der höheren Frequenz sind mit der Zeit entwickelt worden. Alle LEDs erzeugen zusammenhanglos, Licht des schmalen Spektrums; "weiße" LEDs sind wirklich Kombinationen von drei LEDs einer verschiedenen Farbe oder ein mit einem gelben scintillator Überzug GEFÜHRTES Blau. LEDs kann auch als Fotodioden der niedrigen Leistungsfähigkeit in Signalanwendungen verwendet werden. Ein GEFÜHRTER kann mit einer Fotodiode oder Fototransistor in demselben Paket paarweise angeordnet werden, um einen opto-isolator zu bilden.

Laserdioden

:When eine LED ähnliche Struktur wird in einer widerhallenden gebildeten Höhle durch das Polieren der parallelen Endgesichter, ein Laser enthalten, kann gebildet werden. Laserdioden werden in optischen Speichergeräten und für die hohe Geschwindigkeit optische Kommunikation allgemein verwendet.

Thermaldioden

:This-Begriff wird gebraucht beide für herkömmliche p-n Dioden haben gepflegt, Temperatur wegen ihrer unterschiedlichen Vorwärtsstromspannung mit der Temperatur, und für Wärmepumpen von Peltier für die thermoelektrische Heizung und das Abkühlen zu kontrollieren.. Wärmepumpen von Peltier können von Halbleiter gemacht werden, obwohl sie keine Korrigieren-Verbindungspunkte haben, verwenden sie das sich unterscheidende Verhalten von Anklage-Transportunternehmen in Typ-Halbleiter N und P, um Hitze zu bewegen.

Fotodioden

:All-Halbleiter sind der optischen Anklage-Transportunternehmen-Generation unterworfen. Das ist normalerweise eine unerwünschte Wirkung, so werden die meisten Halbleiter im leichten blockierenden Material paketiert. Fotodioden sind beabsichtigt, um Licht (Photoentdecker) zu fühlen, so werden sie in Materialien paketiert, die Licht erlauben zu gehen, und gewöhnlich persönliche Geheimzahl (die Art der Diode sind, die am empfindlichsten ist, um sich zu entzünden). Eine Fotodiode kann in Sonnenzellen, in der Fotometrie, oder in optischen Kommunikationen verwendet werden. Vielfache Fotodioden können in einem Einzelgerät entweder als eine geradlinige Reihe oder als eine zweidimensionale Reihe paketiert werden. Diese Reihe sollte mit ladungsgekoppelten Halbleiterbausteinen nicht verwirrt sein.

Dioden der persönlichen Geheimzahl

:A-Diode der persönlichen Geheimzahl ließ einen zentralen, oder inner, Schicht unlackieren, eine p-type/intrinsic/n-type Struktur bildend. Sie werden als Radiofrequenzschalter und Abschwächer verwendet. Sie werden auch als große Volumen-Entdecker der ionisierenden Strahlung und als Photoentdecker verwendet. Dioden der persönlichen Geheimzahl werden auch in der Macht-Elektronik verwendet, weil ihre Hauptschicht Hochspannungen widerstehen kann. Außerdem kann die Struktur der persönlichen Geheimzahl in vielen Macht-Halbleiter-Geräten, wie IGBTs, Macht MOSFETs und thyristors gefunden werden.

Dioden von Schottky

:Schottky-Dioden werden von einem Metall bis Halbleiter-Kontakt gebaut. Sie haben einen niedrigeren Vorwärtsspannungsabfall als p-n Verbindungspunkt-Dioden. Ihr Vorwärtsspannungsabfall an Vorwärtsströmen von ungefähr 1 mA ist in der Reihe 0.15 V zu 0.45 V, der sie nützlich in Stromspannungsfestklemmen-Anwendungen und Verhinderung der Transistor-Sättigung macht. Sie können auch als niedrige Verlust-Berichtiger verwendet werden, obwohl ihr Rückleckage-Strom im Allgemeinen höher ist als diese anderer Dioden. Dioden von Schottky sind Majoritätstransportunternehmen-Geräte und so leiden Sie unter Minderheitstransportunternehmen-Lagerungsproblemen nicht, die viele andere Dioden verlangsamen — so haben sie eine schnellere Rückwiederherstellung als p-n Verbindungspunkt-Dioden. Sie neigen auch dazu, viel niedrigere Verbindungspunkt-Kapazität zu haben, als p-n Dioden, die hoch für umschaltende Geschwindigkeiten und ihren Gebrauch im Hochleistungsschaltsystem und den RF Geräten wie Macht-Versorgung der geschalteten Weise, Mixer und Entdecker sorgt.

Superbarriere-Dioden

:Super-Barriere-Dioden sind Gleichrichterdioden, die den niedrigen Vorwärtsspannungsabfall der Diode von Schottky mit der Woge behandelnden Fähigkeit vereinigen und niedrig Leckage-Strom einer normalen p-n Verbindungspunkt-Diode umkehren.

Goldlackierte Dioden

:As ein dopant, Gold (oder Platin) handelt als Wiederkombinationszentren, der einer schnellen Wiederkombination von Minderheitstransportunternehmen hilft. Das erlaubt der Diode, an Signalfrequenzen auf Kosten eines höheren Vorwärtsspannungsabfalls zu funktionieren. Goldlackierte Dioden sind schneller als andere p-n Dioden (aber nicht so schnell wie Dioden von Schottky). Sie haben auch weniger rückaktuelle Leckage als Dioden von Schottky (aber nicht so gut wie andere p-n Dioden). Ein typisches Beispiel ist 1N914.

Schnappen - von oder Schritt-Wiederherstellungsdioden

: Die Begriff-Schritt-Wiederherstellung bezieht sich auf die Form der Rückwiederherstellungseigenschaft dieser Geräte. Nachdem ein Vorwärtsstrom in einem SRD gegangen ist und der Strom unterbrochen oder umgekehrt wird, wird die Rückleitung sehr plötzlich (als in einer Schritt-Wellenform) aufhören. SRDs kann deshalb sehr schnelle Stromspannungsübergänge durch das sehr plötzliche Verschwinden der Anklage-Transportunternehmen zur Verfügung stellen.

Stabistors oder Forward Reference Diodes

: Der Begriff stabistor bezieht sich auf einen speziellen Typ von Dioden, die äußerst stabile Vorwärtsstromspannungseigenschaften zeigen. Diese Geräte werden besonders für Stabilisierungsanwendungen der niedrigen Stromspannung entworfen, die eine versicherte Stromspannung über eine breite aktuelle Reihe und hoch stabilen über die Temperatur verlangen.

Vergängliche Stromspannungsunterdrückungsdiode (TVS)

:These sind Lawine-Dioden entworfen spezifisch, um andere Halbleiter-Geräte vor Hochspannungsübergangsprozessen zu schützen. Ihre p-n Verbindungspunkte haben eine viel größere Querschnittsfläche als diejenigen einer normalen Diode, ihnen erlaubend, große Ströme zu führen, um sich zu gründen, ohne Schaden zu stützen.

Varicap oder Kapazitätsdioden

: Diese werden als spannungsgesteuerte Kondensatoren verwendet. Diese sind in PLL (phasenstarre Schleife) und FLL (frequenzgeschlossene Schleife) Stromkreise wichtig, stimmende Stromkreise, wie diejenigen in Fernsehempfängern erlaubend, um sich schnell schließen zu lassen. Sie haben auch stimmbare Oszillatoren in der frühen getrennten Einstimmung von Radios ermöglicht, wo ein preiswerter und stabiles, aber feste Frequenz, Kristalloszillator die Bezugsfrequenz für einen spannungsgesteuerten Oszillator zur Verfügung gestellt hat.

Dioden von Zener

:Diodes, der gemacht werden kann, rückwärts zu führen. Diese Wirkung, genannt Depression von Zener, kommt an einer genau definierten Stromspannung vor, der Diode erlaubend, als eine Präzisionsstromspannungsverweisung verwendet zu werden. In praktischen Stromspannungsbezugsstromkreisen werden Zener und Schaltdioden der Reihe nach und entgegengesetzte Richtungen verbunden, um den Temperaturkoeffizienten zur nahen Null zu erwägen. Einige Geräte haben als Hochspannung etikettiert Dioden von Zener sind wirklich Lawine-Dioden (sieh oben). Zwei (gleichwertige) Zeners der Reihe nach und in umgekehrter Reihenfolge, in demselben Paket, setzen einen vergänglichen Absorber (oder Transorb, ein eingetragenes Warenzeichen) ein. Die Diode von Zener wird für Dr Clarence Melvin Zener von Universität von Carnegie Mellon, Erfinder des Geräts genannt.

Anderer Gebrauch für Halbleiter-Dioden schließt Abfragungstemperatur und analoge Rechenlogarithmen ein (sieh Betrieblichen Verstärker applications#Logarithmic).

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| Diode

| Diode von Zener

| Diode von Schottky

| Tunneldiode

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| Licht ausstrahlende Diode

| Fotodiode

| Varicap

| Silikon hat Berichtiger kontrolliert

Das Numerieren und das Codieren von Schemas

Es gibt mehrer das allgemeine, normale und Hersteller-gesteuerte Numerieren und Codieren von Schemas für Dioden; die zwei am üblichsten, der EIA/JEDEC Standard und der europäische Pro Elektronstandard seiend:

EIA/JEDEC

Ein standardisiertes 1N-Reihe-Zählen-System wurde in den Vereinigten Staaten durch EIA/JEDEC (Gemeinsamer Elektrongerät-Technikrat) 1960 eingeführt. Unter dem populärsten in dieser Reihe waren: 1N34A/1N270 (Germanium-Signal), 1N914/1N4148 (Silikonsignal), 1N4001-1N4007 (Silikon 1A Macht-Berichtiger) und 1N54xx (Silikon 3A Macht-Berichtiger)

Pro Elektron

Das europäische Pro Elektroncodiersystem für aktive Bestandteile wurde 1966 eingeführt und umfasst zwei vom Teil-Code gefolgte Briefe. Der erste Brief vertritt das für den Bestandteil verwendete Halbleiter-Material (= Germanium und B = Silikon), und der zweite Brief vertritt die allgemeine Funktion des Teils (für Dioden: = low-power/signal, B = Variable Kapazität, X = Vermehrer, Y = Berichtiger und Z = Stromspannungsverweisung), zum Beispiel:

• AA-Reihe-Germanium low-power/signal Dioden (z.B: AA119)
• BA-Reihe-Silikon low-power/signal Dioden (z.B: BAT18 Silikon RF Schaltdiode)
• Silikongleichrichterdioden durch die REIHE (z.B: BY127 1250V, 1A Gleichrichterdiode)
• BZ-Reihe-Silikon Dioden von Zener (z.B: BZY88C4V7 4.7V Diode von Zener)

Das andere allgemeine Numerieren / das Codieren von Systemen (allgemein Hersteller-gesteuert) schließt ein:

• GD-Reihe-Germaniumdioden (z.B: GD9) — das ist ein sehr altes Codiersystem
• OA-Reihe-Germaniumdioden (z.B: OA47) — eine Codierfolge, die von Mullard, einer Gesellschaft des Vereinigten Königreichs entwickelt ist

Sowie diese allgemeinen Codes, viele Hersteller oder Organisationen haben ihre eigenen Systeme auch — zum Beispiel:

• HP-Diode 1901-0044 = JEDEC 1N4148
• Militär-Diode des Vereinigten Königreichs CV448 = Typ OA81 Mullard = Typ GEX23 GEC

Zusammenhängende Geräte

• Berichtiger
• Transistor
• Thyristor oder Silikon hat Berichtiger kontrolliert (SCR)
• TRIAC
• Diac
• Varistor

In der Optik würde ein gleichwertiges Gerät für die Diode, aber mit dem Laserlicht der Optische isolator, auch bekannt als eine Optische Diode sein, die Licht erlaubt, nur in einer Richtung zu gehen. Es verwendet Faraday rotator als der Hauptbestandteil.

Anwendungen

Radio demodulation

Der erste Gebrauch für die Diode war der demodulation von Radiosendungen des Umfangs hat moduliert (AM). Die Geschichte dieser Entdeckung wird eingehend im Radioartikel behandelt. In der Zusammenfassung besteht ein Signal von AM daraus, positive und negative Spitzen einer Radiotransportunternehmen-Welle abwechseln zu lassen, deren Umfang oder Umschlag zum ursprünglichen Audiosignal proportional sind. Die Diode (ursprünglich eine Kristalldiode) berichtigt das Radiofrequenzsignal von AM, nur die positiven Spitzen der Transportunternehmen-Welle verlassend. Das Audio wird dann aus der berichtigten Transportunternehmen-Welle mit einem einfachen Filter herausgezogen und in einen Audioverstärker oder Wandler gefüttert, der Schallwellen erzeugt.

Macht-Konvertierung

Berichtiger werden von Dioden gebaut, wo sie verwendet werden, um Elektrizität des Wechselstroms (AC) in den direkten Strom (DC) umzuwandeln. Automobilwechselstromgeneratoren sind ein allgemeines Beispiel, wo die Diode, die den AC in den Gleichstrom berichtigt, bessere Leistung zur Verfügung stellt als der Umschalter oder früher, Dynamo. Ähnlich werden Dioden auch in Stromspannungsvermehrern von Cockcroft-Walton verwendet, um AC in höhere Gleichstrom-Stromspannungen umzuwandeln.

Überspannungsschutz

Dioden werden oft verwendet, um zerstörende Hochspannungen weg von empfindlichen elektronischen Geräten zu führen. Sie werden gewöhnlich rückbeeinflusst, unter normalen Verhältnissen (nichtführend). Wenn sich die Stromspannung über der normalen Reihe erhebt, werden die Dioden vorwärtsbeeinflusst (das Leiten). Zum Beispiel werden Dioden in (Schrittmotor und H-Brücke) Motorkontrolleur und Relaisstromkreise zu De-Energize-Rollen schnell ohne die zerstörenden Stromspannungsspitzen verwendet, die sonst vorkommen würden. (Jede in solch einer Anwendung verwendete Diode wird eine flyback Diode genannt). Viele einheitliche Stromkreise vereinigen auch Dioden auf den Verbindungsnadeln, um Außenstromspannungen davon abzuhalten, ihre empfindlichen Transistoren zu beschädigen. Spezialdioden werden verwendet, um vor Überspannungen an der höheren Macht zu schützen (sieh Typen Diode oben).

Logiktore

Dioden können mit anderen Bestandteilen verbunden werden, um zu bauen, UND und ODER Logiktore. Das wird Diode-Logik genannt.

Entdecker der ionisierenden Strahlung

Zusätzlich zum Licht, das oben erwähnt ist, sind Halbleiter-Dioden zur energischeren Radiation empfindlich. In der Elektronik verursachen kosmische Strahlen und andere Quellen der ionisierenden Strahlung Geräuschpulse und einzelne und vielfache Bit-Fehler.

Diese Wirkung wird manchmal durch Partikel-Entdecker ausgenutzt, um Radiation zu entdecken. Eine einzelne Partikel der Radiation, mit Tausenden oder Millionen von Elektronvolt der Energie, erzeugt viele Anklage-Transportunternehmen-Paare, weil seine Energie im Halbleiter-Material abgelegt wird. Wenn die Erschöpfungsschicht groß genug ist, um die ganze Dusche zu fangen oder eine schwere Partikel aufzuhören, kann ein ziemlich genaues Maß der Energie der Partikel, einfach durch das Messen der Anklage geführt und ohne die Kompliziertheit eines magnetischen Spektrometers usw. gemacht werden.

Diese Halbleiter-Strahlenentdecker brauchen effiziente und gleichförmige Anklage-Sammlung und niedrigen Leckage-Strom. Sie werden häufig durch den flüssigen Stickstoff abgekühlt. Für die längere Reihe (ungefähr ein Zentimeter) Partikeln brauchen sie eine sehr große Erschöpfungstiefe und großes Gebiet. Für Partikeln für kurze Strecken brauchen sie jeden Kontakt oder unentleerten Halbleiter auf mindestens einer Oberfläche, um sehr dünn zu sein. Die Zurückneigungsstromspannungen sind nahe Depression (ungefähr eintausend Volt pro Zentimeter). Germanium und Silikon sind allgemeine Materialien. Einige dieser Entdecker Sinnposition sowie Energie.

Sie haben ein begrenztes Leben besonders, wenn sie schwere Partikeln wegen des Strahlungsschadens entdecken. Silikon und Germanium sind in ihrer Fähigkeit ziemlich verschieden, Gammastrahlung zu Elektronschauern umzuwandeln.

Halbleiter-Entdecker für energiereiche Partikeln werden in der großen Anzahl verwendet. Wegen Energieverlust-Schwankungen ist das genaue Maß der abgelegten Energie von weniger Nutzen.

Temperaturmaße

Eine Diode kann als ein Temperaturmessen-Gerät verwendet werden, da der Vorwärtsspannungsabfall über die Diode von Temperatur, als in einem Silikon bandgap Temperatursensor abhängt. Von der Ideal-Diode-Gleichung von Shockley, die oben gegeben ist, scheint es, dass die Stromspannung einen positiven Temperaturkoeffizienten (an einem unveränderlichen Strom) hat, aber davon abhängt, Konzentration zu lackieren und Temperatur (Sze 2007) zu bedienen. Der Temperaturkoeffizient kann als in typischem thermistors oder positiv für Temperatursinndioden unten zu ungefähr 20 kelvins negativ sein. Gewöhnlich haben Silikondioden etwa 2 mV /  C Temperaturkoeffizient bei der Raumtemperatur.

Das aktuelle Steuern

Dioden werden Ströme in unbeabsichtigten Richtungen verhindern. Um Macht zu einem elektrischen Stromkreis während eines Macht-Misserfolgs zu liefern, kann der Stromkreis Strom von einer Batterie ziehen. Eine unterbrechungsfreie Stromversorgung kann Dioden auf diese Weise verwenden, um sicherzustellen, dass Strom nur von der Batterie, wenn notwendig, gezogen wird. Ebenfalls haben kleine Boote normalerweise zwei Stromkreise jeder mit ihrer eigenen Batterie/Batterien: ein verwendeter für das Motorstarten; ein verwendeter für Hausangestellte. Normalerweise werden beide von einem einzelnen Wechselstromgenerator beladen, und eine Hochleistungsdiode der Spalt-Anklage wird verwendet, um die Batterie der höheren Anklage (normalerweise die Motorbatterie) davon zu verhindern, sich bis die Batterie der niedrigeren Anklage zu entladen, wenn der Wechselstromgenerator nicht läuft.

Dioden werden auch in elektronischen Musiktastaturen verwendet. Um den Betrag zu reduzieren, erforderlich in elektronischen Musiktastaturen zu telegrafieren, verwenden diese Instrumente häufig Tastatur-Matrixstromkreise. Der Tastatur-Kontrolleur scannt die Reihen und Säulen, um zu bestimmen, welches Zeichen der Spieler gedrückt hat. Das Problem mit Matrixstromkreisen besteht darin, dass, wenn mehrere Zeichen sofort gedrückt werden, der Strom umgekehrt durch den Stromkreis fließen und "Gespenst-Schlüssel" auslösen kann, die "Geister"-Zeichen veranlassen zu spielen. Um zu vermeiden, unerwünschte Zeichen auszulösen, ließen die meisten Tastatur-Matrixstromkreise Dioden mit dem Schalter unter jedem Schlüssel der Musiktastatur verlöten. Derselbe Grundsatz wird auch für die Schalter-Matrix in Halbleiterflippern verwendet.

Abkürzungen

Dioden werden gewöhnlich D für die Diode auf PCBs genannt. Manchmal wird die Abkürzung CR für den Kristallberichtiger verwendet.

Nichtlineare Zwei-Elemente-Geräte

Viele andere nichtlineare Zwei-Elemente-Geräte bestehen, aber werden "Dioden" nicht gewöhnlich genannt. Zum Beispiel hat ein Neonlicht zwei Terminals in einem Glasumschlag und hat interessante und nützliche nichtlineare Eigenschaften. Lampen der Kreisbogen-Entladung wie Leuchtstofflampen oder Quecksilberdampf-Lampen haben auch zwei Terminals und zeigen nichtlineare Strom-Spannungseigenschaften.

Siehe auch

• Aktive Korrektur
• Diode, modellierend
• Lambda-Diode
• P-N-Verbindungspunkt
• Modell des kleinen Signals

Links

Interaktiv und Zeichentrickfilme

• Interaktive Erklärung der Halbleiter-Diode, Universität des Cambridges
• Schottky Diode-Blitz-Tutorzeichentrickfilm